PDMS器件

加工精度取决于模具的精度，原位芯片提供高精度模具如刻蚀硅，SU-8，刻蚀玻璃。

SU-8器件

 胶厚范围在2-400um之间，胶厚和线宽比为1:1，精度误差小于10%。

硅流道器件

 最小线宽在百纳米级别，流道陡直度高，线宽精度高，可控精度5%以内，流道最大深宽比可达20:1。

玻璃流道器件

 深度1um内用IBE刻蚀，刻蚀精度10%以内，深宽比1:1，加工效率高。

 深度1-20um，可用NLD刻蚀，刻蚀具有高刻蚀速率、高均匀性、高等离子体密度及低压放电。

 深度20um以上用湿法腐蚀，加工效率高，深宽比2:1以上。线宽200um以上，精度要求低，可采用激光打孔。